盖世汽车讯 据外媒报道,为超高效、高性能和高压应用提供优质碳化硅解决方案的设计商、开发商和全球供应商SemiQ Inc宣布推出一系列1700 V SiC MOSFET,旨在满足中压高功率转换应用的需求,例如光伏和风能逆变器、储能、电动汽车和路边充电、不间断电源以及感应加热/焊接。
该高速QSiC? 1700 V开关平面D-MOSFET可实现更紧凑的大规模系统设计,具有更高的功率密度和更低的系统成本。它们具有可靠的体二极管,能够在高达175℃的温度下工作,所有组件的测试电压均超过1900 V,且UIL雪崩测试电压为 600 mJ。
该QSiC 1700 V器件既有裸片版本,也有4引脚TO-247-4L封装分立器件版本(GP2T030A170H),带有漏极、源极、驱动器源极和栅极引脚。 这两种器件也都提供符合AEC-Q101汽车标准的版本(AS2T030A170X和AS2T030A170H)。
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